Silisiumkondensatorer gir nye muligheter

Nå kommer en ny produktserie med kondensatorer fra Murata, som implementerer nyskapende teknologi. Den patenterte teknologien fra Murata Integrated Passive Solutions (tidligere IPDiA) gir mulighet for integrering av et bredt spekter av kondensatorverdier i silisium, noe som gjør serien egnet til mange bruksområder som krever høy ytelse og miniatyrisering.

SiCap-serien er rettet mot krevende bruksområder som designer med begrenset plass, spesielt for ultrabredbånd og innen bruksområder med RF/mikrobølger og høy temperatur.

Murata SiCaps tilbyr bedre stabilitet over temperatur, spenning og levetidsytelse sammenlignet med det som tilbys av alternative kondensatorteknologier. Det gjør dem egnet for krevende bruksområder der stabilitet og pålitelighet er de viktigste parameterne. Dette kan omfatte produkter og systemer som krever ekstremt pålitelige komponenter, som i luftfarts- og bilbransjen, samt medisinske implantater.

Silisiumkondensatorene har høy tetthet, og er basert på en monolittisk struktur i et monokrystallinsk substrat. De er utviklet ved hjelp av en MOS-prosess (Metal-Oxide Semiconductor) og bruker den tredje dimensjonen (eller høydedimensjonen) til å øke overflatearealet – og dermed kapasitansen – betydelig uten å øke enhetens grunnflate.

Murata SiCap-serien inkluderer lavprofilenheter som er mindre enn 100 µm tykke, for avkobling innen plasskritiske bruksområder, som for IC-avkobling eller MOS-baserte sensorer, bredbåndsmoduler og RFID-produkter. Det finnes også høytemperaturversjoner som skal kunne håndtere opptil 250 °C med høy stabilitet, ultrabredbåndstyper for signaler på opptil 60 GHz+ og kondensatorer av medisinsk kvalitet samt bilkvalitet med høy pålitelighet til bruksområder under panseret ved opptil 200 °C.